Artikelnummer | SUB75P03-07-E3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.75W (Ta), 187W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 30A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |