SS32-E3/57T - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	SS32-E3/57T
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	500mV @ 3A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	500µA @ 20V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AB, SMC
Lieferantengerätepaket	DO-214AB, (SMC)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 125°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SS32	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMC	Einzelheiten
SS32 M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB	Einzelheiten
SS32 R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB	Einzelheiten
SS32 V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 3A 20V DO-214AB	Einzelheiten
SS32 V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 3A 20V DO-214AB	Einzelheiten
SS32-13-F	DIODES	SS32-13-F DIODES DO-214.. New Original Stocks	Einzelheiten
SS32-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB	Einzelheiten
SS32-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB	Einzelheiten
SS32-G	COMCHIP	SMD Schottky Barrier Rectifier	Einzelheiten
SS32-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 3A 20V DO-214AB	Einzelheiten