SS12P2LHM3_A/H - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	SS12P2LHM3_A/H
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	560mV @ 12A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	1000µA @ 20V
Kapazität @ Vr, F	930pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-277, 3-PowerDFN
Lieferantengerätepaket	TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SS12P2L	VISHAY	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Einzelheiten
SS12P2L-M3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A	Einzelheiten
SS12P2L-M3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A	Einzelheiten
SS12P2LHM3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A	Einzelheiten
SS12P2LHM3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A	Einzelheiten
SS12P2LHM3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A	Einzelheiten
SS12P2LHM3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A	Einzelheiten
SS12P3L	VISHAY	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Einzelheiten
SS12P3L-E3/86A	VISHAY	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Einzelheiten
SS12P3L-E3/87A	VISHAY	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Einzelheiten