SQS460EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQS460EN-T1_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	39W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 5.3A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SQS460EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 8A	Einzelheiten
SQS460ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W	Einzelheiten
SQS462EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8	Einzelheiten