| Artikelnummer | SQP10250E_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4050pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SQP100N04-3M6_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | Einzelheiten |
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SQP100P06-9M3L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB | Einzelheiten |
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SQP10A | EXSHINE | AXIAL LEAD TYPE Standard TypeSQP Series, Non-Inductive TypeNSP Series | Einzelheiten |
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SQP10AJB-0R1 | Yageo | RES 10W 5 AXIAL | Einzelheiten |
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SQP10AJB-0R11 | Yageo | RES 10W 5 AXIAL | Einzelheiten |
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SQP10AJB-0R12 | Yageo | RES 10W 5 AXIAL | Einzelheiten |
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SQP10AJB-0R13 | Yageo | RES 10W 5 AXIAL | Einzelheiten |
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SQP10AJB-0R15 | Yageo | RES 10W 5 AXIAL | Einzelheiten |
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SQP10AJB-0R16 | Yageo | RES 10W 5 AXIAL | Einzelheiten |
