SQM50P06-15L_GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SQM50P06-15L_GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
P-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
15 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
155nC @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
6120pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
150W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
TO-263 (D²Pak) |
| Paket / Fall |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SQM50P06-15L_GE3
