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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SQM40031EL_GE3
SQM40031EL_GE3

SQM40031EL_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SQM40031EL_GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SQM40031EL_GE3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
14062 pcs
Referenzpreis
USD 1.8365/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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SQM40031EL_GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SQM40031EL_GE3
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 800nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 39000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 375W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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