SQJA64EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQJA64EP-T1_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Fall	PowerPAK® SO-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SQJA60EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8	Einzelheiten
SQJA62EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 60A SO8	Einzelheiten
SQJA64EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 15A POWERPAKSOL	Einzelheiten
SQJA68EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 14A POWERPAKSO	Einzelheiten