SQJ951EP-T1_GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SQJ951EP-T1_GE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
30A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
17 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
50nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1680pF @ 10V |
Leistung max |
56W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SQJ951EP-T1_GE3