SQJ570EP-T1_GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SQJ570EP-T1_GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft |
Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Leistung max |
27W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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