SQJ200EP-T1_GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SQJ200EP-T1_GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft |
Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
20A, 60A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
8.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
975pF @ 10V |
| Leistung max |
27W, 48W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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