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| Artikelnummer | SQD40030E_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SQD40030E_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO252AA | Einzelheiten |
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SQD400A60S | SANREX | SQD400A60S SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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SQD400AA100 | SANREX | SQD400AA100 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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SQD400AA120 | EXSHINE | TRANSISTOR MODULE | Einzelheiten |
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SQD400BA60 | SANREX | SQD400BA60 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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SQD40131EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252 | Einzelheiten |
