SQ3419EV-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQ3419EV-T1_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	-
Technologie	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	-
Lieferantengerätepaket	-
Paket / Fall	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SQ3410EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6	Einzelheiten
SQ3418AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP	Einzelheiten
SQ3418EEV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP	Einzelheiten
SQ3418EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP	Einzelheiten
SQ3419AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP	Einzelheiten
SQ3419EEV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	Einzelheiten
SQ3419EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	Einzelheiten