SIZ916DT-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SIZ916DT-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft |
Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
16A, 40A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
6.4 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1208pF @ 15V |
| Leistung max |
22.7W, 100W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
6-PowerPair™ |
| Lieferantengerätepaket |
6-PowerPair™ |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SIZ916DT-T1-GE3
