SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIZ904DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
50024 pcs
Referenzpreis
USD 0.5205/pcs
Unser Preis
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SIZ904DT-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIZ904DT-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A, 16A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Leistung max 20W, 33W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-PowerPair™
Lieferantengerätepaket 6-PowerPair™
Gewicht -
Ursprungsland -

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