SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIS902DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4275 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SIS902DN-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIS902DN-T1-GE3
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 75V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 38V
Leistung max 15.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
Gewicht -
Ursprungsland -

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