SIS778DN-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SIS778DN-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Obsolete |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
42.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1390pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft |
Schottky Diode (Body) |
| Verlustleistung (Max) |
52W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
-50°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall |
PowerPAK® 1212-8 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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