SIRA22DP-T1-RE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SIRA22DP-T1-RE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
60A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
0.76 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
155nC @ 10V |
Vgs (Max) |
+16V, -12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
7570pF @ 10V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
83.3W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8 |
Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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