SIR872ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIR872ADP-T1-RE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	53.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1286pF @ 75V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Fall	PowerPAK® SO-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIR872ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8	Einzelheiten
SIR872ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8	Einzelheiten
SIR872DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8	Einzelheiten