SIJA72ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIJA72ADP-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	27.9A (Ta), 96A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.42 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2530pF @ 20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Fall	PowerPAK® SO-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-