SIHP30N60AEL-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHP30N60AEL-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHP30N60AEL-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB	Einzelheiten
SIHP30N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB	Einzelheiten
SIHP30N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB	Einzelheiten