| Artikelnummer | SIHG47N60AE-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 182nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 313W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 24A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | Einzelheiten |
|
SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC | Einzelheiten |
|
SIHG460B-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC | Einzelheiten |
|
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC | Einzelheiten |
|
SIHG47N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V | Einzelheiten |
|
SIHG47N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | Einzelheiten |
|
SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | Einzelheiten |
|
SIHG47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | Einzelheiten |
|
SIHG47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC | Einzelheiten |
