SIHG33N65EF-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHG33N65EF-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	31.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	171nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4026pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	313W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	109 mOhm @ 16.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AC
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHG30N60AEL-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC	Einzelheiten
SIHG30N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC	Einzelheiten
SIHG30N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC	Einzelheiten
SIHG32N50D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG32N50D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG33N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC	Einzelheiten
SIHG33N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG33N60EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG33N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG33N65EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC	Einzelheiten