SIHG11N80E-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHG11N80E-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AC
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHG100N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO247AC	Einzelheiten
SIHG11N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC	Einzelheiten
SIHG120N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO247AC	Einzelheiten
SIHG14N50D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG14N50D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG15N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC	Einzelheiten
SIHG16N50C-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC	Einzelheiten
SIHG17N60D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC	Einzelheiten
SIHG17N60D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC	Einzelheiten
SIHG17N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC	Einzelheiten