SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIHFR1N60A-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
148332 pcs
Referenzpreis
USD 1.11/pcs
Unser Preis
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SIHFR1N60A-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIHFR1N60A-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 229pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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