| Artikelnummer | SIHF10N40D-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 400V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 526pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 33W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SIHF10N40D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK | Einzelheiten |
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SIHF12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | Einzelheiten |
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SIHF12N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | Einzelheiten |
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SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | Einzelheiten |
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SIHF12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | Einzelheiten |
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SIHF15N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP | Einzelheiten |
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SIHF15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP | Einzelheiten |
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SIHF15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | Einzelheiten |
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SIHF16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 | Einzelheiten |
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SIHF18N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 18A TO220 | Einzelheiten |
