SIHD5N50D-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHD5N50D-GE3
Teilstatus	Discontinued at Digi-Key
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	104W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252AA
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SIHD5N50D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK	Einzelheiten
	SIHD5N50D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK	Einzelheiten