SIHD12N50E-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHD12N50E-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	550V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	886pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	114W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-PAK (TO-252AA)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHD12N50E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 500V DPAK	Einzelheiten
SIHD14N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 13A D-PAK	Einzelheiten
SIHD180N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V DPAK TO-25	Einzelheiten
SIHD1K4N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH DPAK TO-252	Einzelheiten