SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIHB21N60EF-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
57 pcs
Referenzpreis
USD 4.38/pcs
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SIHB21N60EF-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIHB21N60EF-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2030pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 227W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 176 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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