| Artikelnummer | SIE808DF-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 10-PolarPAK® (L) |
| Paket / Fall | 10-PolarPAK® (L) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SIE800DF | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
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