SIDR610DP-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SIDR610DP-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
7.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
31.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
38nC @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1380pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8DC |
| Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SIDR610DP-T1-GE3
.jpg "SIDR610DP-T1-GE3 photos")
