SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIDR402DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
126142 pcs
Referenzpreis
USD 1.30525/pcs
Unser Preis
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SIDR402DP-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIDR402DP-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 0.88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Gewicht -
Ursprungsland -

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