SIA922EDJ-T4-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIA922EDJ-T4-GE3
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.4A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SIA922EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6	Einzelheiten
	SIA922EDJ-T4-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V SMD	Einzelheiten