| Artikelnummer | SIA907EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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SIA907EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | Einzelheiten |
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SIA907EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | Einzelheiten |
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SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L | Einzelheiten |
