SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI9933CDY-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
106739 pcs
Referenzpreis
USD 0.2552/pcs
Unser Preis
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SI9933CDY-T1-E3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI9933CDY-T1-E3
Teilstatus Active
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 10V
Leistung max 3.1W
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
Gewicht -
Ursprungsland -

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