SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI8457DB-T1-E1
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.2234/pcs
Unser Preis
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SI8457DB-T1-E1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI8457DB-T1-E1
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 6V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Paket / Fall 4-UFBGA, FCBGA
Gewicht -
Ursprungsland -

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