SI8457DB-T1-E1 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI8457DB-T1-E1 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
- |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
700mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
93nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2900pF @ 6V |
Vgs (Max) |
±8V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
19 mOhm @ 3A, 4.5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
Paket / Fall |
4-UFBGA, FCBGA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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