SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI8402DB-T1-E1
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SI8402DB-T1-E1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3751 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI8402DB-T1-E1
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.47W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 1A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 4-Microfoot
Paket / Fall 4-XFBGA, CSPBGA
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR SI8402DB-T1-E1