SI7942DP-T1-E3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI7942DP-T1-E3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
3.8A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
49 mOhm @ 5.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
24nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Leistung max |
1.4W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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