SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI7900AEDN-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
49102 pcs
Referenzpreis
USD 0.5236/pcs
Unser Preis
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SI7900AEDN-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI7900AEDN-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
Gewicht -
Ursprungsland -

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