SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI7804DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SI7804DN-T1-GE3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
47091 pcs
Referenzpreis
USD 0.5544/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI7804DN-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR SI7804DN-T1-GE3