| Artikelnummer | SI7664DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7770pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7660CJ | SI | SI7660CJ SI DIP-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI7660DP-T1-E3 | VISHAY | SI7660DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI7661BK | MAXIM | SI7661BK MAXIM DIP8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI7661CJ | SIL | SI7661CJ SIL DIP-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
SI7661CJ+ | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP | Einzelheiten |
 |
SI7661CSA+ | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | Einzelheiten |
|
SI7661CSA+T | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | Einzelheiten |
|
SI7661DJ | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP | Einzelheiten |
|
SI7661ESA+ | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | Einzelheiten |
|
SI7661ESA+T | Maxim Integrated | IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC | Einzelheiten |
