SI7615ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI7615ADN-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	183nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5590pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI7615ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S	Einzelheiten
SI7615CDN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8	Einzelheiten
SI7615DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8	Einzelheiten