SI7434ADP-T1-RE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI7434ADP-T1-RE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
250V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
3.7A (Ta), 12.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
7.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
150 mOhm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
16.5nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
600pF @ 125V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
5W (Ta), 54.3W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8 |
Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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