| Artikelnummer | SI7102DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SI7100DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8 | Einzelheiten |
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SI7102DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 | Einzelheiten |
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SI7104DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Einzelheiten |
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