Artikelnummer | SI6969DQ-T1-E3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |