SI6562CDQ-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI6562CDQ-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
6.7A, 6.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
850pF @ 10V |
| Leistung max |
1.6W, 1.7W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket |
8-TSSOP |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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