| Artikelnummer | SI5504BDC-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.7A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Leistung max | 3.12W, 3.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5504BDC | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
|
Si5504DC | VISHAY | Complementary 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | Einzelheiten |
|
Si5509DC | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5509DC_08 | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
