SI5476DU-T1-GE3

SI5476DU-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI5476DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.5852/pcs
Unser Preis
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SI5476DU-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI5476DU-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 4.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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