| Artikelnummer | SI5402BDC-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5401DC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5401DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5401DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5402BDC | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5402BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5402BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5402BDC_08 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5402DC | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5402DC-T1 | VISHAY | SI5402DC-T1 VISHAY 1206-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI5402DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Einzelheiten |
