SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI4936CDY-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
113142 pcs
Referenzpreis
USD 0.2393/pcs
Unser Preis
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SI4936CDY-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI4936CDY-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V
Leistung max 2.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
Gewicht -
Ursprungsland -

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